采用CSTBTTM硅片技术
饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
成本优化的封装
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小
模块内部寄生电感小
功率循环能力显著改善
适合中、低端变频器产品设计
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94mm × 48mm
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108mm × 62mm
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110mm × 80mm
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140mm × 130mm
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电路拓扑
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VCES(V)
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Ic(A)
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75
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100
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150
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200
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300
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400
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600
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2单元
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1200
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CM100DY
-24A
(45KB)
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CM150DY
-24A
(45KB)
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CM200DY
-24A
(45KB)
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CM300DY
-24A
(45KB)
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CM400DY
-24A
(48KB)
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CM600DY
-24A
(49KB)
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1700
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CM75DY
-34A
(110KB)
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CM100DY
-34A
(101KB)
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CM150DY
-34A
(121KB)
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CM200DY
-34A
(102KB)
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CM300DY
-34A
(100KB)
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CM400DY
-34A
(126KB)
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1单元
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1200V
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CM600HA
-24A
(117KB)
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CM400HA
-24A
(118KB)
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